行业痛点：碳化硅废水的治理挑战  

     碳化硅（SiC）作为第三代半导体核心材料，其生产废水含高浓度氟化物（2000-5000mg/L）、悬浮硅粉、重金属及强酸碱，传统工艺面临三大瓶颈：  

     1. 氟化物深度去除难：常规钙盐沉淀法残留氟离子＞15mg/L，远超《GB 8978-1996》一级标准（10mg/L）；  

     2. 硅胶体稳定性高：纳米级SiC颗粒易形成胶体，堵塞滤膜；  

     3. 高盐废水回用率低：硝酸、氢氟酸清洗液导致含盐量＞5%，膜系统易结垢失效。  

       百惠浦四级深度处理工艺  

     基于22项专利技术，百惠浦创新开发“破胶除氟—重金属截留—膜浓缩—蒸发结晶”全链条解决方案：  

     1. 预处理强化  

      -高效破胶除氟：  

     → 特种混凝技术：采用铝铁复合絮凝剂（PAFC+PFS）破除硅胶体稳定性，配合聚丙烯酰胺（PAM）加速沉降；  

     → 两级化学沉淀：一级投加钙盐生成CaF₂，二级引入磷酸盐生成氟磷灰石，使氟离子浓度降至≤5mg/L。  

     2. 膜分离与资源化  

      -抗污染DTRO膜系统：  

     采用开放式流道设计，耐受SS≤5000mg/L的高浊废水，回收率提升至85%；  

      -电解脱氟装置：  

     阴极生成活性铝羟基络合物吸附残余氟，避免膜污堵。  

     3. 零排放闭环设计  

      -MVR蒸发结晶：  

     对浓水进行负压蒸发，回收高纯度氟化钙（CaF₂，纯度≥98%），作为原料回用于生产；  

      -污泥干化减量：  

     板框压滤+低温热泵干燥，污泥含水率＜40%，危废量削减60%。  

       百惠浦设备的五大核心优势  

     | 技术维度       | 传统工艺         | 百惠浦解决方案      |  

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     | 氟去除率   | 85%-90%          | ≥99.9%          |  

     | 膜寿命     | 6-12个月         | ＞36个月        |  

     | 能耗成本   | 8-10元/吨        | ≤5元/吨         |  

     | 自动化程度 | 手动调节         | IoT智能云控     |  

     | 资源回收   | 无               | CaF₂回用        |  

     百惠浦深耕半导体废水处理20年，服务全球10+国家超10000家企业，从碳化硅晶片到功率器件制造领域，以技术创新推动第三代半导体产业绿色升级。